-200V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package The IRFF9230 is a P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.0Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-220AB (Through-Hole Package)**  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** -200V drain-source voltage rating  
- **Low On-Resistance:** Optimized for efficient power switching  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust performance under transient conditions  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency  

This MOSFET is commonly used in power management, switching regulators, motor control, and other high-voltage applications.

-200V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package

-200V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package The IRFF9230 is a P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRFF9230 is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power switching applications. It is part of the HEXFET family, known for efficient power handling and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -200V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.5Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 18nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Features:**  
- **HEXFET Technology:** Provides low on-resistance and high efficiency.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **Low Gate Drive Requirements:** Compatible with standard logic-level drivers.  
- **TO-220 Package:** Ensures good thermal performance and ease of mounting.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for factual accuracy.

-200V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package