Enhancement-Mode MOSFET Transistors The BS170 is a general-purpose N-channel enhancement mode MOSFET manufactured by various companies, including Siliconix (now part of Vishay).  

**Key Specifications (SI Units):**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 500 mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 830 mW (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5 Ω (max) at V_GS = 10 V, I_D = 500 mA  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.8–3.0 V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 50 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 15 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35 ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20 ns (typical)  

**Package:** TO-92 (plastic)  

These specifications are based on standard datasheet values from manufacturers like Vishay/Siliconix.