Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin(3+Tab) TO-237 The VN10KM is a power MOSFET manufactured by SILICONIX. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.3Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The VN10KM is an N-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 100V drain-source voltage rating.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V or 10V drive signals.  
- **Low Input Capacitance:** Reduces gate drive requirements.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.