-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF9540N is a P-channel Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -76A  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.20Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 63nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1300pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**
- The IRF9540N is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for high-efficiency power management in DC-DC converters, motor control, and other power applications.  

### **Features:**
- **Advanced HEXFET® Technology:** Ensures low conduction losses.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Specified:** Improves ruggedness in inductive load applications.  
- **Fully Characterized Dynamic Performance:** Ensures reliable operation in switching circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

These details are based on the manufacturer's datasheet for the IRF9540N.