IRFD9220

-200V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package The IRFD9220 is a P-Channel Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.3A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -13A  
- **Power Dissipation (P_D):** 36W (at T_C = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max at V_GS = -10V, I_D = -3.3A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 180pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Temperature Range (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The IRFD9220 is a P-Channel HEXFET® Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low gate drive power requirements and fast switching speeds.  
- The device is housed in a TO-252 (DPAK) package, suitable for surface-mount applications.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage spikes.  
- **Logic-Level Compatible:** Can be driven by standard logic-level signals.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the IRFD9220.

-200V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package