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IRFD9210 from IR,International Rectifier

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15.625ms

IRFD9210

Manufacturer: IR

-200V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRFD9210 IR 5799 In Stock

Description and Introduction

-200V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package The IRFD9210 is a P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRFD9210  

### **Type:**  
P-channel HEXFET Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** -100V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -1.8A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -7.2A  
- **Power Dissipation (PD):** 20W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 3.0Ω (max) at VGS = -10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -2.0V to -4.0V  

### **Features:**  
- **HEXFET Technology:** Provides high efficiency and fast switching.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness.  
- **Low Thermal Resistance:** Improves power handling.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact surface-mount design.  

### **Applications:**  
- Power switching circuits  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Load switching  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRFD9210 IOR 80 In Stock

Description and Introduction

-200V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package The IRFD9210 is a P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -3.1A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -12A  
- **Power Dissipation (PD):** 36W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **RDS(on) (Drain-Source On-Resistance):** 0.54Ω (max) at VGS = -10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -2V to -4V  

### **Descriptions & Features:**  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  
- **Polarity:** P-Channel  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Low Gate Charge:** Optimized for fast switching  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness  
- **Low Thermal Resistance:** Improves power handling  

These details are based on the manufacturer's datasheet. For precise application conditions, refer to the official IRFD9210 datasheet.

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