IRFD9210

-200V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package The IRFD9210 is a P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRFD9210  

### **Type:**  
P-channel HEXFET Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -1.8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -7.2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2.0V to -4.0V  

### **Features:**  
- **HEXFET Technology:** Provides high efficiency and fast switching.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness.  
- **Low Thermal Resistance:** Improves power handling.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact surface-mount design.  

### **Applications:**  
- Power switching circuits  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Load switching  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

-200V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package