-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF9Z24NPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -76A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.07Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 30nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low gate charge and low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low R_DS(on).  
- **Fast Switching:** Enhances performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Improves ruggedness in inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet.