-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package The IRFD9120 is a P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -1.4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -5.6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 60pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 20pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Description:**
The IRFD9120 is a high-voltage P-channel MOSFET designed for switching applications. It features low gate charge and fast switching speeds, making it suitable for power management, DC-DC converters, and motor control circuits.

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** Supports up to -100V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact and suitable for surface-mount applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven with standard logic-level signals.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.