250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF624S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 35pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Description:**  
- The IRF624S is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for switching applications.  
- It is optimized for fast switching performance and low gate charge.  
- Suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (250V)**  
- **Low On-Resistance (1.2Ω)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220AB Package**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.