200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF630S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 37A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
- The IRF630S is a high-voltage, N-channel MOSFET designed for switching applications.  
- It is optimized for fast switching performance and low on-resistance.  
- Suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 200V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhanced performance in switching circuits.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

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