N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET The ZVN4206A is a N-channel enhancement mode vertical DMOS FET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated).  
### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 420mA  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 1.7A  
- **Power Dissipation (PD):** 1W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 5Ω (max) at VGS = 10V, ID = 200mA  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 15pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 6pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 2pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (tr):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 30ns (typical)  
- **Fall Time (tf):** 10ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
### **Descriptions and Features:**  
- **Enhancement Mode:** Normally off, requires positive gate voltage to conduct.  
- **Low Threshold Voltage:** Suitable for low-voltage drive applications.  
- **Fast Switching Speed:** Ideal for high-frequency applications.  
- **Low Input Capacitance:** Reduces drive requirements.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load switching.  
- **Packaging:** Available in TO-92 and SOT-23 packages.  
This MOSFET is commonly used in switching applications, signal amplification, and low-power DC-DC converters.  
(Note: Always refer to the latest datasheet for updated specifications.)