ZVN2106

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET The ZVN2106 is a N-channel enhancement mode vertical DMOS FET manufactured by ZETEX. Here are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 2A  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V, I_D = 0.5A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 25pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 10pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 15ns (typ)  

### **Description:**  
The ZVN2106 is a small-signal MOSFET designed for low-power switching and amplification applications. It features a vertical DMOS structure for improved performance and is suitable for high-speed switching due to its low gate charge and capacitance.  

### **Features:**  
- **Low Threshold Voltage:** Enables operation with low gate drive voltages.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low On-Resistance:** Improves efficiency in switching applications.  
- **High Input Impedance:** Easy to drive with logic-level signals.  
- **ESD Protection:** Provides robustness against electrostatic discharge.  
- **SOT-23 Package:** Compact surface-mount package for space-constrained designs.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the ZVN2106 by ZETEX.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET