N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs The part TN0106N3 is manufactured by SUPERTEX. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SUPERTEX  
- **Part Number:** TN0106N3  
- **Type:** High-Voltage N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6Ω (typical)  
- **Package:** TO-92  

### **Descriptions:**  
- The TN0106N3 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for switching applications.  
- It is suitable for use in power supplies, inverters, and other high-voltage circuits.  

### **Features:**  
- High breakdown voltage (600V)  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for efficient power handling  
- TO-92 package for easy mounting  

This information is strictly based on the available knowledge base.

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs The TN0106N3 is a MOSFET transistor manufactured by SI (Siliconix or Vishay Siliconix). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **SI (Siliconix/Vishay Siliconix)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.06Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typical)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures efficient power handling with minimal losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in rugged conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals.  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, motor control, and switching circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the TN0106N3 MOSFET.