N-Channel Enhancement Mode MOSFETs The VN2222L is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (SI). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (SI)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 2A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.4W  
- **R_DS(on) (Max):** 1.5Ω @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (Min) - 2.5V (Max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  
- **Technology:** STripFET™ (Low On-Resistance)  

### **Features:**  
- **Low Threshold Voltage** for compatibility with logic-level signals  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Ruggedness**  
- **ESD Protection** (up to 2kV)  
- **Low Input Capacitance**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

N-Channel Enhancement Mode MOSFETs The VN2222L is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** VN2222L  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.5 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 2 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1 W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1 V (min), 2.5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 25 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 10 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30 ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-92  

### **Description:**  
The VN2222L is a small-signal N-channel MOSFET designed for low-power switching applications. It is suitable for use in general-purpose circuits, load switching, and amplification where low voltage and current handling are required.  

### **Features:**  
- Low threshold voltage for compatibility with logic-level signals  
- Fast switching speeds  
- Low input and output capacitances  
- High input impedance  
- Pb-free and RoHS compliant  

For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to the official Vishay datasheet.

N-Channel Enhancement Mode MOSFETs The VN2222L is a monolithic device manufactured by STMicroelectronics, designed as a single-channel high-side driver. Here are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** Single-channel high-side driver  
- **Output Configuration:** High-side  
- **Output Type:** N-channel MOSFET  
- **Voltage Rating:**  
  - **Supply Voltage (VCC):** 5.5V to 36V  
  - **Output Voltage (VOUT):** Up to 36V  
- **Current Rating:**  
  - **Continuous Drain Current (ID):** 1.2A  
  - **Peak Current (IDM):** 3A  
- **On-State Resistance (RDS(on)):** 0.8Ω (typical)  
- **Logic Input Compatibility:** CMOS/TTL (3.3V/5V compatible)  
- **Protection Features:**  
  - Thermal shutdown  
  - Overcurrent protection  
  - Undervoltage lockout (UVLO)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **Integrated Power MOSFET:** Includes an N-channel DMOS output transistor.  
- **Logic-Level Control:** Can be driven directly from microcontrollers (3.3V/5V logic).  
- **Low Standby Current:** Suitable for battery-operated applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for PWM applications.  
- **Built-in Diagnostics:** Provides fault feedback (thermal shutdown and overcurrent).  
- **Automotive-Grade Options:** Some variants meet AEC-Q100 standards.  

This device is commonly used in automotive, industrial, and consumer applications for driving resistive, inductive, or capacitive loads.  

Would you like additional details on any specific parameter?

N-Channel Enhancement Mode MOSFETs The VN2222L is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 3.2A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.4W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) - 2.5V (max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The VN2222L is a single N-channel enhancement-mode vertical DMOS FET.  
- It is designed for low-voltage, low-current switching applications.  
- The device is housed in a TO-92 package, making it suitable for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- **Low Threshold Voltage:** Enables compatibility with low-voltage logic circuits.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **ESD Protection:** Provides robustness against electrostatic discharge.  
- **Avalanche Ruggedness:** Capable of handling inductive load switching.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-Channel Enhancement Mode MOSFETs The VN2222L is a MOSFET transistor manufactured by STMicroelectronics in a TO-92 package.  

### **Specifications:**  
- **Package:** TO-92  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 3.2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 0.8W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2.5V (max)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for low-voltage, high-speed switching applications.  
- Low threshold voltage for compatibility with logic-level signals.  
- Fast switching speed.  
- Suitable for relay drivers, motor control, and power management circuits.  
- RoHS compliant.  

This information is based on the manufacturer's datasheet.

N-Channel Enhancement Mode MOSFETs The VN2222L is a power MOSFET manufactured by **MOTOROLA**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 2.8A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.4W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 25pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The VN2222L is a small-signal MOSFET designed for low-power switching applications. It is suitable for use in automotive, industrial, and consumer electronics where moderate voltage and current handling are required.  

### **Features:**  
- **Low Threshold Voltage** for compatibility with logic-level signals.  
- **Fast Switching Speed** for efficient performance in switching circuits.  
- **Low On-Resistance** to minimize power loss.  
- **ESD Protection** for improved reliability.  
- **TO-92 Package** for easy mounting and compact design.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and knowledge base.