20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package The IRLML2502 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 45mΩ @ V_GS = 4.5V  
  - 35mΩ @ V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.3W  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.65V (min) – 1.35V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 7.5nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 580pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF  
- **Switching Speed:** Fast switching performance  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency switching applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage logic circuits (4.5V gate drive).  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust against inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Package:** SOT-23 (3-pin)  

This MOSFET is commonly used in DC-DC converters, load switching, and battery management applications.