Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The TPC8040-H is a part manufactured by TOS (Toshiba). Below are the specifications, descriptions, and features based on available knowledge:

### **Specifications:**
1. **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Module  
2. **Voltage Rating:** Typically rated for high-voltage applications (exact voltage rating may vary; check datasheet).  
3. **Current Rating:** Designed for high-current switching (specific current rating depends on model variant).  
4. **Package Type:** Module form factor, often with screw terminals for easy mounting.  
5. **Switching Speed:** Optimized for fast switching applications.  
6. **Isolation Voltage:** High isolation between terminals for safety.  

### **Descriptions:**
- The TPC8040-H is a power semiconductor module designed for industrial and high-power applications.  
- It integrates IGBT technology for efficient switching in motor drives, inverters, and power supplies.  
- The module is built with robust thermal and electrical characteristics for reliability in harsh environments.  

### **Features:**
1. **High Efficiency:** Low conduction and switching losses.  
2. **Thermal Performance:** Designed with effective heat dissipation.  
3. **Built-in Protection:** May include features like short-circuit protection (verify with datasheet).  
4. **Compact Design:** Space-saving module suitable for power electronics systems.  
5. **Wide Operating Temperature Range:** Suitable for industrial use.  

For precise technical details, always refer to the official **TOS (Toshiba) datasheet** for the TPC8040-H.

Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The TPC8040-H is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.0mΩ (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5000pF (typical)  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for improved efficiency.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for motor control, power supplies, and DC-DC converters.  
- Robust construction for reliable operation in demanding environments.  

For exact performance characteristics, refer to Toshiba’s official datasheet.