30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7413 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRF7413 is a **N-channel HEXFET® Power MOSFET** designed for high-efficiency power switching applications. It offers low on-state resistance (RDS(on)) and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor drives, and other power management applications.

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 13A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 52A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 42W (at 25°C)  
- **On-State Resistance (RDS(on)):**  
  - 9.0 mΩ (max) at VGS = 10V  
  - 11 mΩ (max) at VGS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 16nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1100pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 350pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typical)  
- **Avalanche Energy (EAS):** 50mJ  

### **Features:**  
- **Low RDS(on)** for reduced conduction losses  
- **Fast switching speed** for improved efficiency  
- **Low gate charge** for better high-frequency performance  
- **Avalanche rated** for ruggedness in inductive load applications  
- **TO-220AB package** for easy mounting and heat dissipation  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.