**Part Number:** SI4435DY  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (at T_A = 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

**Descriptions:**  
The SI4435DY is a N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, load switches, and motor control.  

**Features:**  
- Low gate charge for reduced switching losses  
- High current handling capability  
- Optimized for synchronous rectification  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21  

(Note: Verify specifications with the latest datasheet for accuracy.)