Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK6A65D is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220F  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-speed switching applications.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Fast switching performance with reduced switching losses.  
- Suitable for power supply, motor control, and inverter applications.  
- Built-in fast recovery diode for improved reliability.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For exact details, refer to the official Toshiba datasheet.