600V N-Channel Advance Q-FET C-Series The part **FQP6N60C** is manufactured by **Fairchild Semiconductor (FSC)**.  

### Key Specifications:  
- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS)**: 600V  
- **Current Rating (I_D)**: 6A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **R_DS(on) (Max)**: 1.5Ω @ 10V, 3.2A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **Package**: TO-220  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.  

(Note: Fairchild Semiconductor was acquired by ON Semiconductor in 2016, but the original part specifications remain unchanged.)

600V N-Channel Advance Q-FET C-Series The FQP6N60C is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 24A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 30nC (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Package**: TO-220  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.