N-CHANNEL 600V 1 OHM 6A TO-220/TO-220FP/D2PAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET The STP6NK60ZFP is a Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 16A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.5Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 600pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 20pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220FP (Insulated)  
### **Descriptions:**
- The STP6NK60ZFP is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for switching applications.  
- It features low gate charge and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  
- The TO-220FP package provides electrical isolation between the device and the heatsink.  
### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-efficiency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Insulated Package:** TO-220FP allows direct mounting on a heatsink without insulation.  
This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.