Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK2P60D is a power MOSFET manufactured by TOSHIBA. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):** 6.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220F (isolated type)  

### **Descriptions:**  
- The TK2P60D is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications.  
- It is suitable for power supply circuits, motor control, and other high-efficiency switching applications.  
- The TO-220F package provides electrical isolation between the device and the heatsink.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss during conduction.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 600V, making it suitable for industrial and power supply applications.  
- **Isolated Package:** The TO-220F package enhances thermal performance and safety in high-voltage circuits.  

This information is based strictly on manufacturer-provided data for the TK2P60D MOSFET by TOSHIBA.