600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFBC20 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.4A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 9.6A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 60pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 15pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The IRFBC20 is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage switching applications. It is optimized for fast switching performance and low gate charge, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency applications.

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 600V V_DSS rating  
- **Fast Switching:** Low gate charge and capacitance  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness  
- **TO-220 Package:** Industry-standard through-hole package for easy mounting  

These details are based on the manufacturer's datasheet for the IRFBC20 MOSFET.