N The STP2N60 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics  
### **Part Number:** STP2N60  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 40pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The STP2N60 is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance, making it suitable for power supplies, inverters, motor control, and other switching applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low Input Capacitance for Fast Switching**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **100% Avalanche Tested**  
- **Low Gate Charge**  
- **Low On-Resistance**  
- **TO-220 Package**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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