for lowest Conduction Losses The **SPW11N60S5** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45 Ω (max) @ V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60 ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
The **SPW11N60S5** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **Fast switching performance**  
- **Low gate charge**  
- **Low on-resistance**  
- **High ruggedness and reliability**  
- **Avalanche rated**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This information is based on Infineon's datasheet for the SPW11N60S5.

for lowest Conduction Losses The SPW11N60S5 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (INF). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies (INF)  
- **Part Number:** SPW11N60S5  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** CoolMOS™ Power Transistor  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.38 Ω (typical) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60 ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
- The SPW11N60S5 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for efficient power switching applications.  
- It belongs to Infineon’s CoolMOS™ family, optimized for low conduction and switching losses.  
- Suitable for applications such as power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **High Voltage Capability:** 600 V rating for robust performance.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Avalanche Rugged:** Improved reliability under harsh conditions.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.