N-channel 600V - 0.35Ω - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh? Power MOSFET The STP12NM60N is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 180W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STP12NM60N is a high-voltage MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low gate charge and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **High voltage capability (600V)**  
- **Low on-resistance (R_DS(on))**  
- **Fast switching speed**  
- **Low gate charge**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **100% avalanche tested**  
- **TO-220 package for easy mounting**  

This MOSFET is commonly used in power conversion circuits, inverters, and industrial applications requiring high voltage and current handling.  

(Source: STMicroelectronics datasheet for STP12NM60N)

N-channel 600V - 0.35Ω - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh? Power MOSFET