N-channel 600V The STP11NM60ND is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 190 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.38 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (min), 5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30 pF (typ)  
- **Turn-on Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typ)  
- **Turn-off Delay Time (t_d(off)):** 60 ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Package:**  
- **TO-220 (Through-Hole)**  
- **3-pin configuration (Gate, Drain, Source)**  

### **Description:**  
The STP11NM60ND is a high-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance, fast switching performance, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **High voltage capability (600 V)**  
- **Low gate charge for fast switching**  
- **Low on-resistance (R_DS(on))**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **100% avalanche tested**  
- **Improved dv/dt capability**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

N-channel 600V