SIPMO Power Transistor The SPD02N60 is a power MOSFET manufactured by Infineon. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 3.5 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (min), 4 V (typ), 5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35 ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The SPD02N60 is a N-channel power MOSFET designed for high-voltage switching applications. It features low gate charge and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600 V breakdown voltage  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency  
- **Fast Switching Speed:** Reduces switching losses  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in harsh conditions  
- **Low On-Resistance:** Improves conduction losses  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact and suitable for surface-mount applications  

These details are based on Infineon's official documentation for the SPD02N60 MOSFET.

SIPMO Power Transistor