IGBTs & DuoPacks The SKB06N60 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Part Number:** SKB06N60  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 6A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 24A  
- **Power Dissipation (PD):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.2Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Total Gate Charge (Qg):** 15nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 30pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 45ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The SKB06N60 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for low conduction losses and fast switching performance.  
- Suitable for use in power supplies, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in inductive load conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **TO-263 (D2PAK) Package:** Provides efficient thermal performance.  

This information is based strictly on Infineon's specifications for the SKB06N60 MOSFET.