Discrete, High Performance IGBT with Diode The part **SGP6N60UFDTU** is manufactured by **FSC (Fairchild Semiconductor Corporation)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 156W  
- **RDS(ON) (Max):** 1.5Ω @ 10V, 3A  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (Typical)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Voltage MOSFET** designed for switching applications.  
- **Low On-Resistance (RDS(ON))** for improved efficiency.  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  
- **Applications:** Power supplies, motor control, inverters, and other high-voltage switching circuits.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics, refer to the official documentation.

Discrete, High Performance IGBT with Diode