N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWERMESH MOSFET The STP4NB50FP is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 9.5nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220FP (isolated tab)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Voltage Capability:** Suitable for applications requiring up to 500V.  
- **Low Gate Charge:** Enables fast switching performance.  
- **Avalanche Rugged:** Designed to withstand high-energy transients.  
- **Isolated Package (TO-220FP):** Provides electrical isolation between the tab and the mounting surface.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, lighting, and other high-voltage switching circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWERMESH MOSFET