500V N-Channel MOSFET The FQP4N50 is an N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (at V_GS = 10V, I_D = 2A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 70pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Package:** TO-220  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications such as power supplies, motor control, and inverters.

500V N-Channel MOSFET The FQP4N50 is an N-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 16A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 1.8Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 90pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 70ns (typ)  
- **Package**: TO-220  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.