8A, 500V, 0.850 Ohm, N-Channel Power MOSFET The IRF840 is an N-channel power MOSFET manufactured by various companies, including Infineon, Vishay, and STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4V (min)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220 (through-hole)  

### **Descriptions and Features:**
- **High Voltage Capability:** Designed for high-voltage switching applications (up to 500V).  
- **Low On-Resistance:** Provides efficient power handling with minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency switching circuits.  
- **Avalanche Rated:** Can withstand energy during inductive load switching.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, inverters, and other high-voltage switching circuits.  
- **Standard TO-220 Package:** Easy to mount and suitable for heat sinking.  

This information is based on standard datasheet specifications for the IRF840 MOSFET.