N-CHANNEL 3A The **STGD3NB60SDT4** is a **Power MOSFET** manufactured by **STMicroelectronics**. Below are the factual details about this component:

### **Manufacturer:**  
- **STMicroelectronics (ST)**

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 3A (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Drain-Source On-Resistance):** 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 40W  
- **Package:** DPAK (TO-252)  

### **Descriptions:**  
- Designed for **high-voltage, high-speed switching applications**  
- Low gate charge for **efficient switching performance**  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability  

### **Features:**  
- **Fast switching speed**  
- **Low input and output capacitance**  
- **Zener-protected gate** for enhanced robustness  
- **100% avalanche tested**  

This MOSFET is commonly used in **power supplies, motor control, and lighting applications**.  

(Source: STMicroelectronics datasheet)