N-Channel QFET? MOSFET The FQD2N60CTM is a MOSFET transistor manufactured by 台半 (Taiwan Semiconductor). Here are its key specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 8A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 42W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 4.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 180pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 25pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 35ns (typ)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

N-Channel QFET? MOSFET The FQD2N60CTM is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 600V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 2A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 8A
- **Power Dissipation (P_D)**: 42W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 5.5Ω (max) at V_GS = 10V
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V
- **Input Capacitance (C_iss)**: 180pF (typ)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 30pF (typ)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 10pF (typ)
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typ)
- **Rise Time (t_r)**: 30ns (typ)
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50ns (typ)
- **Fall Time (t_f)**: 20ns (typ)
- **Package**: TO-252 (DPAK)

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FQD2N60CTM.