400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR320PBF is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRFR320PBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 15A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-speed switching applications.  
- Low gate charge for improved efficiency.  
- Avalanche energy rated for ruggedness.  
- Suitable for power management, DC-DC converters, motor control, and other switching applications.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  

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400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package

400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR320PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRFR320PBF is an N-channel HEXFET Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low gate drive power and fast switching speeds.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 57A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 230A  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.0mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 28A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Advanced Process Technology  
- Low On-Resistance  
- Fast Switching Speed  
- Improved dv/dt Capability  
- 100% Avalanche Tested  
- Lead-Free, RoHS Compliant  

### **Package:**  
TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is commonly used in power management, DC-DC converters, motor control, and other high-current switching applications.

400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package