STD12NF06LT4

N-CHANNEL 60V The **STD12NF06LT4** is an N-channel Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (STM)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.12Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 175°C  

### **Package:**
- **TO-252 (DPAK)** surface-mount package  

### **Descriptions:**
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** circuits.  
- Features **low on-resistance** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching** performance for improved efficiency.  

### **Features:**
- **Low gate charge** for efficient high-frequency switching.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **100% avalanche tested** for robustness.  
- **Pb-free and RoHS compliant**.  

This MOSFET is commonly used in **automotive, industrial, and consumer electronics** applications where high power efficiency and compact design are required.  

(Source: STMicroelectronics datasheet for STD12NF06LT4)

N-CHANNEL 60V