N-CHANNEL 60V The STD12NF06LT4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (ST). Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
- **Part Number:** STD12NF06LT4  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **R_DS(on) (Max):** 0.08Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Package:** DPAK (TO-252)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The STD12NF06LT4 is an N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low on-state resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness under inductive load conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the STD12NF06LT4.

N-CHANNEL 60V The **STD12NF06LT4** is an N-channel Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (STM)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.12Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 175°C  

### **Package:**
- **TO-252 (DPAK)** surface-mount package  

### **Descriptions:**
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** circuits.  
- Features **low on-resistance** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching** performance for improved efficiency.  

### **Features:**
- **Low gate charge** for efficient high-frequency switching.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **100% avalanche tested** for robustness.  
- **Pb-free and RoHS compliant**.  

This MOSFET is commonly used in **automotive, industrial, and consumer electronics** applications where high power efficiency and compact design are required.  

(Source: STMicroelectronics datasheet for STD12NF06LT4)

N-CHANNEL 60V The STD12NF06LT4 is a N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.12Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The STD12NF06LT4 is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V and 10V drive signals.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet.