N-CHANNEL CLAMPED 14A D2PAK INTERNALLY CLAMPED POWERMESH IGBT The **STGB7NB40LZT4** is a **40V, 7A** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by **STMicroelectronics**.  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 40V  
- **Current Rating (I_C):** 7A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 40W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Low Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.45V (typical at I_C = 7A)  
- **Fast Switching Speed**  
- **High Current Capability**  
- **Low Conduction Losses**  

### **Features:**  
- **Optimized for Low Conduction Losses**  
- **High Efficiency Switching**  
- **Low Gate Charge**  
- **AEC-Q101 Qualified** (for automotive applications)  
- **TO-263 (D2PAK) Package** (surface-mount)  

### **Applications:**  
- **DC-DC Converters**  
- **Motor Control**  
- **Power Management**  
- **Automotive Systems**  

This IGBT is designed for high-performance power switching applications, particularly where low losses and high efficiency are critical.

N-CHANNEL CLAMPED 14A D2PAK INTERNALLY CLAMPED POWERMESH IGBT The **STGB7NB40LZT4** is a Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (STM)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Part Number:** STGB7NB40LZT4  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ M2  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 400V  
- **Current Rating (I_D):** 7A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.65Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for **high-efficiency switching applications**  
- Features **low gate charge** and **low on-resistance**  
- Optimized for **high-speed switching** in power supplies, motor control, and lighting applications  
- **Avalanche ruggedness** ensures reliability in harsh conditions  

### **Features:**  
- **MDmesh™ M2 technology** for reduced conduction losses  
- **Fast switching performance**  
- **Low gate drive requirements**  
- **High dv/dt capability**  
- **AEC-Q101 qualified** (for automotive applications)  

This MOSFET is commonly used in **SMPS, inverters, and motor drives** due to its high efficiency and robustness.  

(All information is sourced from STMicroelectronics' official datasheet.)

N-CHANNEL CLAMPED 14A D2PAK INTERNALLY CLAMPED POWERMESH IGBT **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  

**Part Number:** STGB7NB40LZT4  

**Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 400 V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 7 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.55 V (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low losses  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low conduction and switching losses.  
- Co-packaged with an ultrafast freewheeling diode for improved performance.  
- Suitable for motor control, inverters, and power supplies.  
- RoHS compliant and halogen-free.  

(Source: STMicroelectronics datasheet)