600V UltraFast Copack Trench IGBT in a TO-220AB package The IRGB4062DPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRGB4062DPBF  

### **Type:**  
Power MOSFET (HEXFET®)  

### **Technology:**  
N-Channel  

### **Voltage Ratings:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  

### **Current Ratings:**  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 24A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 96A  

### **On-Resistance (R_DS(on)):**  
- 0.27Ω (max) at V_GS = 10V  

### **Power Dissipation (P_D):**  
- 190W (at 25°C)  

### **Switching Characteristics:**  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF  

### **Package:**  
TO-263 (D2PAK)  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power conversion.  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust against inductive load switching.  
- **Co-Packaged Diode:** Includes an intrinsic body diode for freewheeling applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- Inverters  
- Industrial applications  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

600V UltraFast Copack Trench IGBT in a TO-220AB package