Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode The **IKP15N60T** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 15A (continuous at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 60A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
- The **IKP15N60T** is an **N-channel** power MOSFET designed for **high-voltage, high-speed switching** applications.  
- It is optimized for **efficiency and reliability** in power conversion circuits.  
- Suitable for **switched-mode power supplies (SMPS), motor control, and inverters**.  

### **Features:**  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **Low gate charge** for reduced drive requirements.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced durability.  
- **Low on-resistance** for minimized conduction losses.  
- **Lead-free and RoHS compliant** for environmental safety.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the **IKP15N60T** MOSFET.