N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWERMESH MOSFET The **STD2NB60-T4** is a **600V, 2A N-channel Power MOSFET** manufactured by **STMicroelectronics**.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min) - 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 25pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typ)  
- **Switching Speed:** Fast switching performance  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Suitable for 600V applications  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load conditions  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- **Switching Power Supplies**  
- **DC-DC Converters**  
- **Motor Control Circuits**  
- **Lighting Systems**  
- **Industrial & Consumer Electronics**  

This MOSFET is designed for **high-efficiency power switching** in various electronic systems.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWERMESH MOSFET