STB30NF20

N-channel 200 V, 0.065 Ohm, 30 A, D2PAK STripFET(TM) Power MOSFET The STB30NF20 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (ST原厂). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.06Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 175°C  

### **Package:**
- **TO-263 (D²PAK)** (3-pin package with exposed pad for heat dissipation)  

### **Descriptions:**
- The STB30NF20 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 30A continuous current.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under high-energy conditions.  
- **Logic-Level Drive:** Can be driven by standard logic-level signals.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes, refer to STMicroelectronics' official documentation.

N-channel 200 V, 0.065 Ohm, 30 A, D2PAK STripFET(TM) Power MOSFET