200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET PDP Switch in a TO-220AB package The IRFB4227 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 78A @ 25°C, 50A @ 100°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 310A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W @ 25°C  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 4.5 mΩ @ V_GS = 10V  
  - 5.0 mΩ @ V_GS = 4.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 130nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Rise Time (t_r):** 35ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  

### **Description:**  
The IRFB4227 is a **HEXFET® Power MOSFET** designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current-handling capability, making it suitable for power supplies, motor drives, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low conduction and switching losses.  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in high-current applications.  
- **Fast Switching:** Minimizes switching losses in high-frequency circuits.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **Fully Characterized Dynamic Performance:** Provides reliable switching behavior.  
- **TO-220 Package:** Industry-standard package for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based on the manufacturer's official datasheet for the IRFB4227 Power MOSFET.