100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package The IRLD120 is a high-speed infrared LED designed for applications requiring fast response times. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **IOR (Infineon Technologies)**  

### **Specifications:**  
- **Wavelength:** 850 nm (typical)  
- **Forward Current (IF):** 100 mA (continuous)  
- **Peak Forward Current (IFP):** 1 A (pulsed)  
- **Forward Voltage (VF):** 1.5 V (typical at 100 mA)  
- **Reverse Voltage (VR):** 5 V  
- **Power Dissipation (PD):** 150 mW  
- **Rise Time (tr):** 10 ns (typical)  
- **Fall Time (tf):** 10 ns (typical)  
- **Viewing Angle:** 40° (half-angle)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  

### **Descriptions:**  
- The IRLD120 is a high-speed infrared LED optimized for applications such as optical encoders, light barriers, and fast data transmission.  
- It emits light in the near-infrared spectrum (850 nm) with a narrow viewing angle for directed illumination.  

### **Features:**  
- **High-Speed Switching:** Fast rise and fall times (10 ns) for rapid response.  
- **High Radiant Intensity:** Efficient light output for infrared sensing applications.  
- **Low Forward Voltage:** Energy-efficient operation.  
- **Compact Package:** Available in industry-standard LED packages for easy integration.  

This information is based solely on the provided knowledge base. For detailed datasheets or additional specifications, refer to official Infineon (IOR) documentation.

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package