100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package The IRFD120 is a power MOSFET manufactured by HARRIN. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** HARRIN  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3Ω (max)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 50pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 20pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for low-power switching applications.  
- Fast switching speed suitable for high-frequency circuits.  
- Low gate drive requirements.  
- TO-252 (DPAK) package for efficient heat dissipation.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

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100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package