100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF520N is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF520N is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Key Features:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 37A  
- **Power Dissipation (P_D):** 60W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Low Gate Charge (Q_g):** 18nC (typ)  
- **Low Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-hole package)  

### **Applications:**  
- Switching regulators  
- Motor control  
- Power amplifiers  
- DC-DC converters  
- Relay drivers  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF520N.