100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package The **IRLD110** is a **high-speed infrared LED** designed for applications requiring fast response times and high radiant intensity.  

### **Manufacturer:**  
- **IOR (Industrial Optoelectronics Research)**  

### **Specifications:**  
- **Wavelength:** 940 nm (typical)  
- **Radiant Intensity:** 80 mW/sr (minimum at 100 mA)  
- **Forward Current (If):** 100 mA (continuous)  
- **Peak Forward Current (Ifp):** 1 A (pulsed)  
- **Reverse Voltage (Vr):** 5 V  
- **Viewing Angle:** 20° (typical)  
- **Rise/Fall Time:** 30 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-speed switching** for communication and sensing applications.  
- **High radiant intensity** for improved signal transmission.  
- **Low power consumption** with efficient light output.  
- **Compact package** (typically 5mm LED form factor).  
- **Suitable for remote control, optical sensors, and IR data transmission.**  

Would you like additional details on electrical characteristics or mechanical dimensions?