100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package The IRFD110 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 3.6A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2–4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 30pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 10pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)**  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Low On-Resistance**  
- **High Input Impedance**  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRFD110 MOSFET.

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package