5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET The IRF510 is an N-channel power MOSFET manufactured by various semiconductor companies, including Vishay, STMicroelectronics, and Infineon. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.6A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 43W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.54Ω (at V_GS = 10V, I_D = 3.4A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 180pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF510 is a general-purpose power MOSFET designed for switching and amplification in medium-power applications. It is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and RF amplifiers due to its fast switching speed and low on-resistance.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low Gate Drive Requirements:** Can be driven by standard logic-level signals.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load switching.  
- **TO-220 Package:** Allows for easy mounting with good thermal dissipation.  
- **Silicon MOSFET Technology:** Ensures reliability and efficiency.  

The specifications may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the datasheet for precise details.