100V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-205AF package The IRHF57130 is a high-power RF transistor manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRHF57130  

### **Description:**  
The IRHF57130 is a high-power RF LDMOS transistor designed for applications in industrial, scientific, and medical (ISM) bands, as well as broadcast and aerospace/defense systems. It operates in the frequency range of 1 MHz to 600 MHz.  

### **Key Features:**  
- **Frequency Range:** 1 MHz – 600 MHz  
- **Output Power (P3dB):** 1300 W (1.3 kW)  
- **Drain Efficiency:** Typically 65%  
- **Gain:** Typically 21 dB  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 50 V  
- **Drain Current (ID):** 40 A (pulsed)  
- **Package Type:** Flange-mounted, air-cavity  
- **Matching:** Internally matched for ease of integration  
- **Thermal Resistance:** Low thermal resistance for improved heat dissipation  

### **Applications:**  
- RF power amplifiers (industrial, scientific, medical)  
- Broadcast transmitters  
- Aerospace and defense systems  
- High-power RF generators  

### **Additional Notes:**  
- Designed for ruggedness and reliability in high-power RF environments.  
- Suitable for both CW and pulsed operation.  

(No further suggestions or guidance provided.)

100V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-205AF package